这个命令的使用场景通常是在多页面读取操作中，你想以尽可能高的速度读取一系列的页面。"Read Cache Last"命令表示了序列中的最后一页，在这之后，NAND Flash可以提前知道不需要做更多的预读准备。

以下是使用"Read Cache Last"命令的一般步骤：

1. 读取第一页：使用常规命令读取序列的第一页数据。
2. 读取缓存操作：对序列中的后续页面，发送Read Cache命令来读取数据。
3. 读取缓存最后一页：对序列中的最后一页，使用"Read Cache Last"命令来告诉NAND Flash这是此缓存序列的最后操作。
4. 检查并等待准备好的数据：在I/O上读取数据，对于每次缓存读取，确保数据已经准备好（可能需等待NAND Flash准备好数据）。
5. 关闭缓存模式：读取完所有需要的数据后，确保关闭缓存模式。

伪代码示例：

#include "nand_flash.h"

// NAND Flash命令定义
#define NAND_CMD_READ_PAGE 0x00 // 常规页读取命令
#define NAND_CMD_READ_CACHE 0x31 // 读缓存命令
#define NAND_CMD_READ_CACHE_LAST 0x3F // 读缓存最后一页命令

// 假设的函数声明
void nand_send_command(uint8_t cmd);
void nand_send_address(uint32_t page_addr);
void nand_read_data(uint8_t *buffer, size_t size);
void nand_wait_ready(void);

// 读取多页缓存数据，包括最后一个缓存命令
void read_pages_using_cache(uint32_t start_page_addr, uint32_t num_pages, uint8_t *buffer) {
    for (uint32_t i = 0; i < num_pages; ++i) {
        // 对第一页或连续的页面使用常规页读取命令
        if (i == 0) {
            nand_send_command(NAND_CMD_READ_PAGE);
        } else {
            // 对最后一页之前的页面使用读缓存命令
            nand_send_command(i < (num_pages - 1) ? NAND_CMD_READ_CACHE : NAND_CMD_READ_CACHE_LAST);
        }

        // 发送页地址并读取数据
        nand_send_address(start_page_addr + i);
        nand_send_command(NAND_CMD_READ_CACHE); // 发送后续缓存命令

        nand_wait_ready(); // 等待NAND Flash数据准备好
        nand_read_data(buffer + (i * NAND_PAGE_SIZE), NAND_PAGE_SIZE); // 读取数据到缓冲区对应部分
    }
}

int main() {
    // 初始化NAND Flash

    // 假设读取的页数和页面大小
    uint32_t pages_to_read = 10;
    uint8_t pages_buffer[NAND_PAGE_SIZE * pages_to_read];

    // 使用缓存读取多个页面
    read_pages_using_cache(0, pages_to_read, pages_buffer);

    // 处理pages_buffer中的数据...

    return 0;
}

请注意，此伪代码简化了NAND Flash操作细节，例如地址发送和错误处理，实际实现中需要根据NAND厂商给出的规范确切地发送命令和地址。

由于不是所有的NAND Flash设备都支持此命令，因此在使用之前，需要检查选定的NAND Flash设备的数据手册，确认它支持缓存读取命令，包括"Read Cache Last"，并理解这些命令的确切语义和时序要求。在实现相关功能时，确保正确地处理了NAND Flash设备的所有时序要求以及在使用缓存命令时NAND Flash期望的行为。